本发明提供了一种形成多孔介电膜的方法，该方法包括：在衬底的至少一部分上形成包括Si、C、O、H和Si-CH3基团的复合膜，其中所述复合膜包括至少一种含硅的结构形成材料和至少一种含碳的成孔材料；并将所述复合膜暴露于活化的化学物质，从而至少部分地改性所述含碳成孔材料，其中在暴露步骤后通过FTIR测定，在如此沉积的膜中至少90％的Si-CH3物质保留在所述膜中。
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来源：北方有色网
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