一种输送至少一种气体的常压晶片加工系统(100),所述系统含有排气控制反馈系统,所述排气控制反馈系统利用传感器(116、142、162、182、192)测量系统内压力并且调节控制单元(112、132、152、180、196)以在系统内维持所需的设定压力。所述传感器测量内炉(140)内,特别是内炉的装载(136)、旁路中心和卸载(156)部分,相对于暗槽作为压力的小压差。对内炉压力的直接控制,为较少经受在外部环境变化的晶片加工提供了更稳定的压力平衡,以及发生当至转子流量计的供应压力变化时,考虑了改变输入气流的补偿。所述压力控制的系统和方法特别有利产生在较长运行时间内具有改进过程可重复性的化学汽相沉积应用。
声明：
“含有内压控制系统的常压晶片加工反应器及方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1136
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
