一种用于
半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳 电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的 表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离 子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽 相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量， 加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制 器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄 膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在 电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明 薄膜具有光照稳定性，在AM1.5， 100mW/cm2标准光强下，获得的 硅薄膜的光电导增益可达106， 基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5％。
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来源：北方有色网
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