本发明一种半导体纳米晶复合硫系玻璃陶瓷材料及其制备方法,特点是其摩尔组成按化学式表示为:(1-x-y)GeS2·xSb2S3·yM2S3,其中x=0～0.4,y=0.10～0.25,M为Ga或In,制备方法包括按摩尔组成化学式选取Ge、Sb、M和S所占当量比例并加热混合的步骤;基础玻璃制备的步骤;然后测试获得基础玻璃样品核化温度300-380℃,晶粒生长温度320-420℃的步骤;最后核化、晶化获得半导体纳米晶复合硫系玻璃陶瓷材料,优点是该材料具有明显增强的硬度、断裂韧性等机械性能并具有二阶非线性光学性能,其制备过程中能够根据需要设计和选择合适的玻璃组成,控制析出不具有反演对称中心的晶相。
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来源：北方有色网
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