本发明提出一种Bi2OxSe纳米片，是垂直生长于基底上的纳米片，纳米片的厚度为10～100nm，0＜x＜2。本发明还提出所述Bi2OxSe纳米片的制备方法和应用。本发明通过化学气相沉积法，在基底上制备得到垂直基底生长的Bi2OxSe纳米片。所述方法合成步骤简单、成本低；制备得到的Bi2OxSe纳米片结晶性好，化学稳定性好，其厚度为10～100nm，横向尺寸为1～50μm，应用于近红外光电探测有非常好的性能，响应度可达14.1A/W，响应时间可达2.7ms，探测率可达4.7×1011Jones。
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来源：北方有色网
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