本发明公开了一种基于四氧化三
钴纳米线阵列的酒精气体传感器，该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的
四氧化三钴纳米阵列构成。本发明还提供了所述酒精气体传感器的制备方法，首先采用公知的热蒸发、溅射或化学蒸发沉积镀膜技术将电极层材料沉积在绝缘基片的两端，并控制其厚度；然后利用水热法直接在绝缘基片上生长四氧化三钴纳米阵列，作为该气体传感器的传感导电体。该制备过程产物结晶性好，生产周期短，没有污染，且避免了分散或操纵
纳米材料的困难，便于工业化生产；且得到的气体传感器对酒精检测有优异的灵敏度，并表现出较好的选择性、稳定性和重复性。
声明：
“基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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