本发明涉及一种砷化镓晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×10
15原子/cm
3，优选低于5×10
14原子/cm
3，所述晶片表面的硫含量通过本发明说明书实施例中第III部分定义的检测方法进行测定。本发明还涉及所述砷化镓晶片的制备方法，包括以下步骤：1)使用酸或碱溶液对晶片表面进行浸泡清洗；2)对晶片进行化学机械抛光；3)抛光后，使用氧化剂对晶片表面进行氧化；4)对晶片经过碱溶液处理，随后用去离子水清洗；5)对晶片经过SC‑1溶液处理，随后用去离子水清洗；6)干燥所得晶片；7)再次使用氧化剂对晶片表面进行处理；8)氮气或真空包装。
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来源：北方有色网
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