本发明公布了一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm(OH)CO
3单晶的方法，包括以下步骤：步骤一、羟基碳酸钐粉晶的合成：使用分析纯的十水草酸钐研磨均匀作为起始原料用银箔包裹置于h‑BN管中进行高温高压反应，获得羟基碳酸钐粉晶样品；步骤二：羟基碳酸钐的生长：将所述羟基碳酸钐粉晶样品和分析纯的氢氧化钠按照摩尔比1：0.1研磨均匀作为起始原料用铂金密封的样品置于h‑BN管中进行高温高压反应，获得羟基碳酸钐单晶样品，获得了高质量、大尺寸、无杂质的单晶样品，解决了目前
稀土碳酸盐单晶样品难以人工合成的技术问题，为后续羟基碳酸钐的晶体结构的定量研究以及各向异性的物理/化学性质的研究研究提供重要保障。
声明：
“高温高压下生长羟基碳酸钐Sm(OH)CO3单晶的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
979
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
