本发明公开聚吡咯表面修饰一维硅基气敏材料及其制备方法，利用化学刻蚀和二次化学刻蚀处理单晶硅片，以使单晶硅片表面产生一维硅纳米线阵列并进行二次刻蚀微结构改性处理；将引发剂溶液和吡咯单体溶液先后旋涂在经步骤2处理的单晶硅片，以使在一维硅纳米线阵列中原位引发吡咯聚合成聚吡咯。基于本发明方法，可以使有机物聚吡咯颗粒在硅纳米线表面形成均匀修饰，获得复合改性效果显著的有机物‑一维硅基纳米复合气敏材料，该敏感材料可以实现对NH3气体在室温下的瞬时检测，并且具有良好的选择性。
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来源：北方有色网
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