本发明涉及CUTE单晶纳米带,特别涉及一种用
电化学沉积制备CUTE单晶纳米带的方法。以TE的化合物和CU盐为主要原料,以氨水为介质,以PT片、饱和甘汞电极分别作对电极和参比电极,以导电玻璃或金属片(如CU片)为工作电极,通过电化学分析仪给工作电极加上一定的电位,恒定温度下反应一段时间后,在工作电极上得到大量的CUTE单晶纳米带。CUTE单晶纳米带的厚度为10～100NM;宽度为100～800NM;长度几微米。所述的CUTE单晶纳米带为正交结构,沿[010]方向择优生长。
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来源：北方有色网
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