本发明提供了化学敏感的晶体管器件(诸如ISFET装置)的测试，无需将所述装置暴露于液体。在一个实施方案中，本发明执行第一试验来计算晶体管的电阻。基于所述电阻，本发明执行第二试验，以使试验晶体管在多个模式之间转变。基于对应的测量结果，然后在几乎没有至没有电路开销的情况下计算浮动栅电压。在另一个实施方案中，使用至少任一个源或排出装置的寄生电容来偏压ISFET的浮动栅。施加驱动电压和偏压电流，以利用寄生电容来测试晶体管的功能性。
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来源：北方有色网
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