本发明公开了一种三维双面硅微条探测器及其制备方法，包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体，上部探测单元的上沟槽电极内均匀嵌有多个相互平行的上半导体基体，上半导体基体内嵌有上中央电极；下部探测单元的下沟槽电极内均匀嵌有多个相互平行的下硅基体，下硅基体内嵌有下中央电极；上半导体基体、上沟槽电极、上中央电极、下硅基体、下沟槽电极和下中央电极高度均相等；下部探测单元位于上部探测单元正下方，且两者在水平方向错开一定角度。通过吸杂氧化工艺在硅晶圆表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
声明：
“三维双面硅微条探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
796
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
