本发明提供一种FinFET鳍片掺杂浓度分布的测量样品制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多个鳍片，在鳍片的顶部形成有硬掩膜层；形成衬垫氧化物层，以覆盖半导体衬底的表面、鳍片的侧壁以及硬掩膜层的侧壁和顶部；在鳍片之间形成隔离结构；沉积绝缘层，以完全填充鳍片之间的间隙；执行化学机械研磨，直至绝缘层的顶部平坦化。本发明还提供一种FinFET鳍片掺杂浓度分布的测量方法，包括：将制备好的测量样品分割为结构完全相同的第一子样品和第二子样品；分别对第一子样品和第二子样品实施二次离子质谱分析和透射电子显微镜横截面分析；将得到的分析数据传送至工艺计算机辅助设计工具模拟计算分析得到鳍片掺杂浓度分布。由此提高测量精确度。
声明：
“FinFET鳍片掺杂浓度分布的测量方法和测量样品制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1127
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
