本发明提供一种检测设备，所述检测设备包括第一腔室、第二腔室、处理液滴定装置、抽气装置、传送装置及监测装置，所述处理液滴定装置设于所述第一腔室的顶部，所述抽气装置与所述第一腔室连接，所述监测装置设于所述第二腔室的顶部，所述传送装置用于将阵列基板依次传送至所述第一腔室、第二腔室中。本发明提出的检测设备包括第一腔室、第二腔室、处理液滴定装置、抽气装置、传送装置及监测装置，在第一腔室中通过处理液滴定装置对阵列基板的待检测区域进行化学蚀刻，在第二腔室中通过监测装置来对化学蚀刻后的待检测区域中的
多晶硅的晶粒大小进行监测，从而实现在线上便可获得清晰的SEM图，降低了生产成本、提升了生产效率和良率。
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来源：北方有色网
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