本发明涉及半导体生产和加工领域，更具体地说，涉及一种化学机械研磨方法。本发明提供了一种化学机械研磨方法，用于去除晶圆表面的金属膜，包括步骤：施加第一下压力，将晶圆表面的
铜膜由初始厚度抛光至1000～2500；施加第二下压力，抛光所述晶圆5～10s；施加第三下压力，并采用光学终点检测法将剩余的铜膜抛光至50～100；其中，光学终点检测法监测晶圆表面的光学参数，当光学参数出现拐点时，即刻停止对晶圆抛光，结束化学机械研磨工艺。采用本发明提供的技术方案，能够在晶圆表面留存极薄厚度的铜膜，为后续无应力抛光工艺留下了操作空间。
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来源：北方有色网
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