本发明属于光
电化学传感器领域，公开了一种用于微量
铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法，所述制作方法包括步骤：(1)将50mg HNbWO
6或HNbMoO
6分散于50‑100mL水中，加入5mL 25wt.％的四丁基氢氧化铵，在45℃下搅拌12‑24小时，离心得到HNbWO
6或HNbMoO
6纳米片溶胶；(2)将洁净的ITO导电玻璃片放置到聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)溶液中浸渍5‑25分钟后水洗；(3)将步骤(2)中得到的ITO/PDDA玻璃片放置到HNbWO
6或HNbMoO
6纳米片溶胶中浸渍5‑25分钟后水洗；(4)将步骤(3)中得到的玻璃片重复(2)和(3)的过程并循环重复0‑9次，干燥，400℃干燥2小时，即得光电化学传感器。本发明制作出的光电化学传感器能实现快速选择性检测溶液中微量铜离子并测定其中铜离子含量。
声明：
“用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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