本发明公开了一种Cr
2O
3半导体复合无机膜的制备方法，该方法利用硅灰‑偏高岭土基无机聚合物膜强碱性的特点，把硅灰‑偏高岭土基无机聚合物膜分离的重金属Cr
3+离子直接转化为氢氧化铬沉积于硅灰‑偏高岭土基无机聚合物膜表面，通过焙烧氢氧化铬分解为Cr
2O
3半导体，制得成本低廉的Cr
2O
3半导体复合无机膜。将该Cr
2O
3半导体复合无机膜应用于光催化‑膜分离耦合处理染料废水，不仅实现对重金属废水的有效处理及重金属离子的资源化利用，而且又可以绿色零污染的实现染料废水完全降解。
声明：
“Cr2O3半导体复合无机膜的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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