本发明公开了一种用于检测Hg2+的薄膜光寻址电位传感器及其制备方法。该传感器是基于光寻址电位传感器(LAPS)，通过激光脉冲沉积(PLD)技术在其表面上制备敏感薄膜。首先合成了敏感材料，作为脉冲激光沉积的靶材，其次在LAPS上通过磁控溅射技术制备了固定化的金属层，然后通过激光脉冲沉积技术和设备在此基础上进行薄膜的制备。该薄膜传感器对溶液中的Hg2+敏感，能够检测出Hg2+的含量。本发明可在江河湖海、生物医学领域(如血液、体液)、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对Hg2+进行定性和定量检测。
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来源：北方有色网
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