本发明是半导体行业低浓度含
铜废水达标排放及高效沉降工艺，包括以下工艺步骤：1)低浓度含铜废水投加FeSO
4溶液；2)斜板沉淀池底部管道混合器进口处投加氢氧化钙溶液，废水与斜板沉淀池回流的含钙改质污泥发生反应；3)加入重捕剂进行鳌合反应；4)投加聚丙烯酰胺进行絮凝反应；5)污泥进入斜板沉淀池进行泥水分离，一部分污泥通过输送至污泥储槽，另一部分输送至管道混合器，进行步骤2)。本发明的优点：针对废水特性，采用FeSO
4+重捕剂联合，减少用量，工艺简单，投资成本低廉，免去混凝剂投加，回流污泥添加氢氧化钙，含水率低、密度高，加快污泥沉降，提高斜板沉淀池表面负荷，减少占地面积，不需设置污泥浓缩池。
声明：
“半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1122
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
