本发明属于微
纳米材料领域，本发明公开一种高容量的层状二硫化锗(GeS
2)纳米片及其制备方法和应用。所述层状二硫化锗纳米片是由锗源和钙源混合后在900℃～1050℃下经退火Ⅰ，将所得产物加入盐酸溶液中，在‑20℃～‑40℃搅拌，得到GeH，然后将GeH和硫源在650℃～850℃下经退火Ⅱ，经洗涤，干燥制得。本发明制备的层状GeS
2单层厚度约为1.2nm，相比于利用机械力的高能球磨方法，本发明利用原位转化法制备的GeS
2，完整地保持了GeH的层状结构。当其应用在
锂离子电池
负极材料时，表现出高的可逆充放电容量以及优异的循环寿命。
声明：
“高容量的层状二硫化锗纳米片及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
925
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
