本发明涉及一种CLBO（CsLiB
6O
10硼酸铯
锂）晶体的无水抛光工艺。该抛光工艺包括拉亮、粗抛和精抛三个工序，各工序使用的抛光辅料均不含水；拉亮工序采用蓖麻油及W1.0钻石粉混合液在聚氨酯盘拉亮去除砂眼并控制平行度；粗抛工序采用蓖麻油在沥青盘上抛光控制平面度、平行度、光洁度等指标；精抛工序采用无水试剂OPW在黑色绒布盘上抛光进一步优化光洁度。该工艺在保证产品平面度、光洁度等指标满足要求的前提下，解决了CLBO晶体传统含水抛光易吸潮开裂的技术难题。
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来源：北方有色网
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