本发明涉及一种半导体氮化碳薄膜的制备及转移方法，以三聚氰胺作为前驱体，通过化学气相沉积工艺，在多种基底材料表面制备半导体氮化碳薄膜或氮化碳/碳复合薄膜，其制备工艺简单，原料成本低，制备的氮化碳薄膜容易转移到任意基底材料表面；所制备的薄膜连续性好，厚度均匀，在光电探测器中显示出极快的响应速度，在电催化析氢反应中显示出较高催化活性；此外，这种氮化碳薄膜可用于构建柔性半导体器件(如发光二极管，
太阳能电池)，
储能器件(如
锂离子电池，
钠离子电池，燃料电池)和催化电极等。
声明：
“半导体氮化碳薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
828
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
