本发明涉及一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，属于一氧化硅制备技术领域。本发明将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；将氩气通入等离子体炉内排出等离子炉中的空气；持续将氩气通入等离子体炉内作为保护气和载气，并将真空干燥处理的一氧化硅粉末通过进粉器进料使一氧化硅粉气化，冷凝即得高纯纳米一氧化硅。本发明能降低高纯纳米一氧化硅的制备成本，减少三废的排放，形成良好的资源利用及环境保护；高纯纳米一氧化硅可以直接应用在镀膜领域、精细陶瓷制备领域、
锂离子电池
负极材料领域等。
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来源：北方有色网
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