本发明涉及一种碳布负载的NiS‑MoS
2异质纳米片阵列结构及其制备方法，属于
纳米材料制备技术领域。本发明提出的
复合材料是在导电的三维
碳纤维布载体表面均匀生长着的具有多级三维框架式结构的、成阵列状的NiS‑MoS
2异质纳米片结构，其中MoS
2包覆在NiS的表面。本发明在反应釜中，分别以醋酸
镍、钼酸铵和硫脲作为镍源、钼源和硫源，十二烷基硫酸钠为表面活性剂，通过一步水热法，直接在碳布上生长得到NiS‑MoS
2异质纳米片阵列结构。该方法具有条件可控、设备工艺简单、产量大、成本低及环境友好等优点。所获得的异质纳米结构产物纯度高，形貌和组成可控。这种纳米结构材料在
电化学催化(制氢、制氧)、
储能(超级电容器、
锂离子电池)等方面具有广泛的应用前景。
声明：
“碳布负载的硫化镍-硫化钼异质纳米片阵列结构及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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