本发明公开了一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，包括如下步骤：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。本发明较传统的吸附垫夹持方式，可以大幅增加加工压力，提升抛光效率，并且可以克服传统的双抛、上蜡以及吸附垫夹持加工方式无法达到＜200um的工艺水准，本发明可以将晶片薄化到＜50um，且保证表面平坦度可达5mm
2＜0.5um，PLTV＞95％的水准，解决了传统加工工艺无法达到钽酸
锂(LiTaO
3；LT)晶片厚度＜200um，且平坦度在5mm
2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求的问题。
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来源：北方有色网
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