本发明涉及包含膦氧化物基质和金属盐的
半导体材料。所述半导体材料包含如权利要求1所述的选自A1至A7和B1至B8的化合物和至少一种式(II)所示的
锂络合物(II)，其中A1是C6‑C30亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑C30亚杂芳基，并且每个A2和A3独立地选自C6‑C30芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑C30杂芳基。还公开了一种电子器件，其包含阴极、阳极和在所述阴极与阳极之间的根据权利要求1‑4任一项的半导体材料。还公开了选自A1至A7和B1至B8的化合物。
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“包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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