本发明公开了一种δ型二氧化
锰纳米线束的制备方法，属于
半导体材料制备技术领域。该方法是以硝酸锰为锰源，通过简单的氧化还原反应可以直接得到低结晶性层状二氧化锰。低结晶性层状氧化锰在氢氧化钠溶液中水热处理，即可得到直径为10～50nm、长度为10～100μm的高结晶性δ型二氧化锰纳米线束。本发明方法简单，氢氧化钠用量少，生产成本低，产物收率高，且得到的δ型二氧化锰纳米线束的
电化学性能优良，有望作为超级电容器和
锂离子二次电池的电极材料。
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“δ型二氧化锰纳米线束的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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