本发明公开了一种掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法,其中掩膜板制造方法包括:步骤10、将掩膜板信息写入存储晶体,使得所述存储晶体制备成掩膜板。其中TFT制造方法除了包括步骤10,还包括步骤20、将光束射向所述掩膜板,透过所述存储晶体携带所述掩膜板信息的光束对涂有光刻胶的TFT基板进行曝光。本发明提供的掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法,通过采用铌酸
锂、钛酸钡等具有光折变性质的晶体存储掩膜板信息,达到了制作过程环保无污染,可利用一块晶体制作多块掩膜板,可重复利用存储晶体,降低成本等效果。
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来源：北方有色网
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