本发明公开了一种镀膜方法及应用，按以下步骤进行：1)衬底以及其晶向的选取；2)使用PLD工艺在衬底上低温外延一层GaN缓冲层；3)使用MBE工艺外延一层GaN薄膜。本发明集合PLD和MBE的优点，能够有效抑制Li离子的高温扩散(衬底的高温相变)和界面反应。利用PLD进行三维生长，获得大量的纳米岛，然后在同一生长室内利用MBE进行二维生长，抑制穿透位错的传播，提高薄膜的晶体质量。应用镀膜方法在镓酸
锂衬底上外延非极性GaN薄膜。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，可广泛应用于LED、LD、
太阳能电池等领域。
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来源：北方有色网
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