本发明属于集成电路制造产业的配套原材料生产技术领域，具体涉及一种碳硼烷含氟光引发剂及其制备方法和应用。首先将碳硼烷，无水四氢呋喃，正丁基
锂的正己烷溶液，4‑碘苯甲醚和高
锰酸钾的吡啶溶液在氮气保护装置中反应制得双羧基碳硼烷；将双羧基碳硼烷与含氟光引发剂在DMF中进一步反应，在弱碱性缚酸剂的协助作用下，最终制得EUV光刻胶用碳硼烷含氟光引发剂。该光引发剂制备的光刻胶克服了传统光刻胶储存时间短、透光性差、分辨率低、残留物难去除等问题，可进一步提升光刻胶的使用性能，在
半导体材料、人工智能、5G手机等领域有巨大潜力，应用前景广阔。
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“碳硼烷含氟光引发剂及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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