本发明涉及
纳米材料的制备领域，尤其是一种单层多孔四氧化三
钴纳米片的制备方法。将溶解一定量钴盐和分散剂的混合溶液于水热釜中140～230℃下反应4～12h，降至室温后将所得产物分离、洗涤、干燥、煅烧，冷却至室温得单层多孔
四氧化三钴纳米片。本发明制备方法简单、易于操作、重复性好，可大规模生产，且制备出的四氧化三钴具有纯度高、厚度薄、孔径分布均匀、比表面积大等优势，在
锂离子电池、传感器、超级电容器、工业催化等领域具有良好的应用前景。
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“单层多孔四氧化三钴纳米片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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