本发明涉及耐高温、抗氧化介电陶瓷的制备技术,特别提供了一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法,解决现有技术中制备硅氮氧陶瓷材料时,存在的温度相对较高、反应时间长等问题。采用一定化学计量比的氮化硅和二氧化硅为原料,以
碳酸锂为烧结助剂,原料经过研磨10-30小时,装入石墨模具中冷压成型,在通有氮气作为保护气氛的热压炉中烧结,烧结温度为1400-1600℃、烧结时间为0.1-1小时。本发明可以在较低温度、短时间内合成高纯度、抗氧化、室温强度和高温强度高、介电常数低和介电损耗小的致密硅氮氧陶瓷块体。采用本发明方法获得的硅氮氧陶瓷,可作为抗氧化高温结构材料和
功能材料,具有潜在的应用价值。
声明：
“耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
895
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
