一种非极性面InN材料的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长 系统，在
铝酸
锂LiAlO2(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN 材料，所述m面是非极性面的一种，高In组分指InxGa1-xN材料中In组分x大于0.3。 本发明利用MOCVD生长系统，采用LiAlO2(100)材料作为衬底、对LiAlO2(100)衬底 进行处理以及利用低温缓冲层，合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料， 通过选择合适的衬底，在MOCVD系统下，选择适当的生长的技术条件，并利用缓冲 层的设计，生产得到非极性面InN材料。
声明：
“非极性面INN材料的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
965
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
