本发明提供了一种具有嵌入式包覆层的高
镍正极材料及其制备方法，该
高镍正极材料为石榴型结构，包括内核和嵌入式包覆层，所述的内核的化学式为LiNixCoyM1‑x‑yO2，其中M为Mn、Mg、Al、Ti、Zr、Y、Nb或W中的一种或多种，0.6＜x≤0.96，0≤y＜0.4。本发明所述的具有嵌入式包覆层的高镍正极材料采用机械性能优异的硼化
钴，抑制高镍系正极材料的应力应变，在充放电过程中，随着
锂离子的嵌入/脱出，镍的价态不断变化，导致层间氧不稳定容易析出，从而使高镍材料发生相变；硼化钴亲氧形成氧化硼（少量）后可以有效抑制氧的穿透析出，维持晶体结构的稳定性。
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“具有嵌入式包覆层的高镍正极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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