本发明涉及
半导体材料V
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5@Ag、V
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5@Cu的制备及应用，包括：将
纳米材料V
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5在超声条件下分散于含有M离子及化合物的溶液中，使纳米V
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5均匀分散，然后在搅拌下陈化一段时间，使纳米V
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5对M离子及化合物的吸附达到饱和；将上述溶液离心分离，将沉淀即吸附了M离子及化合物的纳米V
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5漂洗后搅拌分散在一定浓度的还原剂溶液中，充分反应，然后分离、漂洗、干燥，即得V
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5@M纳米半导体
复合材料。该方法操作简单，时间短，成本低，环境友好，重复性好，效率高，能快速有效的制备纳米半导体复合材料，具有普适性和规模生产价值。本发明制备的纳米半导体复合材料V
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5@Ag、V
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5@Cu提高了
锂离子电池
正极材料电化学性能，在电化学等领域具有广阔的应用前景。
声明：
“半导体材料V2O5@Ag、V2O5@Cu的制备及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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