本发明属于MXene膜的技术领域，公开了一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法。方法：(1)将MAX粉末在盐酸与氟化
锂的作用下进行刻蚀，离心，洗涤，干燥，超声分散，获得MXene纳米片溶液；(2)将MXene纳米片溶液进行电泳沉积，取出，进行冷冻处理，干燥，获得具有垂直孔道结构的MXene膜；电泳沉积的条件：电压为1‑36V，时间为10s‑30min；所述冷冻处理的温度为‑196℃～‑100℃。本发明的方法简单，绿色环保，所制备的膜为具有垂直孔道结构，能够加快分子的穿膜速率；本发明的膜在
储能、催化、光电材料、生物药物、电磁屏蔽、吸波材料等领域具有广泛的应用前景。
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“具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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