二维二硫化钨是一种类
石墨烯的新型二维材料，在电学器件、能源、生物和
复合材料等方面有极大的应用潜力。制备二维二硫化钨方法包括机械剥离、
电化学锂离子插层法、液相剥离法。水热法以及化学气相沉积法等，其中化学气相沉积法在制备二维二硫化钨时有着尺寸、层数可控，材料结晶质量高等方面的优势。目前CVD法制备二硫化钨的研究较少，已有的报道中制备的二维二硫化钨尺寸只有几十到一百微米，无法达到可控生长的目的。本专利围绕化学气相沉积法，改进生长工艺，使生长过程不再需要真空低压条件，在常压下就可进行，使用简单的单温区管式炉即可生长出高质量的，使实验过程更加简单，实验成本大大降低，并且提高了实验制备的可控性。
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“二硫化钨的可控制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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