本发明公开了一种单面抛光超薄晶圆加工方法，包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除。本发明可以完全免除传统工艺需要再透过单面粗化的作法才能得到高平坦度的晶片水准，以达到高产出、工艺简化、成本降低的目的，解决了传统加工工艺无法达到钽酸
锂(LiTaO
3；LT)晶片厚度＜200um，平坦度在5mm
2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求，且加工效率低，工艺复杂，生产成本高的问题。
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来源：北方有色网
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