本发明属于纳米
复合材料领域，公开了一种g?C3N4/MoS2/ZnS纳米复合材料及其制备方法。主要是以片层结构的g?C3N4为基体，钼酸铵或钼酸钠为钼源，七水硫酸
锌为锌源，盐酸羟胺为还原剂，硫脲或硫代乙酰胺为硫源，通过水热法制备g?C3N4/MoS2/ZnS纳米复合材料。本发明制备g?C3N4/MoS2/ZnS纳米复合材料的方法简单易操作，成本低廉，反应条件温和，重现性好，粒径均匀，并在摩擦学、催化、
锂电等领域中具有重要的应用，有望用于大规模的工业生产。
声明：
“g-C3N4/MoS2/ZnS纳米复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
875
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
