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SnO2@聚合物同轴异质纳米棒阵列结构材料及其制备方法和应用

871   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 00:02:33
本发明涉及SnO2@聚合物同轴异质纳米棒阵列结构材料及其制备方法,所述纳米棒长度为1微米,直径为100-200纳米,其聚合物层厚度为30-50纳米,本发明的有益效果是:本发明主要是基于SnO2纳米棒阵列,结合电化学沉积的方法制备出SnO2@聚合物同轴异质纳米棒阵列结构,其作为离子电池负极活性材料时,表现出较高的比容量和良好的循环稳定性;其次,本发明采用的简单水热法,工艺简单,在室温下经过短时间的电化学沉积就可以将聚合物包覆在SnO2纳米棒表面并形成异质结构,制得的材料纯度高、分散性好,同时实现了无粘结剂负极材料,符合绿色化学的要求,利于市场化推广。
声明:
“SnO2@聚合物同轴异质纳米棒阵列结构材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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