本发明公开了一种LED用高导热率氮化硅‑氮化
铝复相陶瓷基板，包括如下重量份原料：氮化硅80‑120份；氮化铝80‑120份；添加剂2‑10份；所述添加剂由如下重量份物质组成：氟化镁1‑3份；氟化钇1‑3份；
碳酸锂1‑3份；最佳陶瓷基板的物化性能为，导热率为330W/(m·k)，弯曲强度为950Mpa，维氏硬度为20GPa。
声明：
“LED用高导热率氮化硅-氮化铝复相陶瓷基板及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1031
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
