本发明提供了一种二维高导电率氢化NbSe
2纳米片的制备方法，包括：将层状NbSe
2块材浸入
锂源溶液反应，得到前驱物Li
xNbSe
2；将Li
xNbSe
2分散在去离子水中，通惰性气体保护，超声剥离得到分散的超薄二维高导电率氢化H
xNbSe
2纳米片。本发明选用高导电性层状NbSe
2金属材料，利用Li离子进行插层扩大了NbSe
2层间距，便于剥离成为超薄纳米片；又充分利用了水中H离子置换Li离子，实现电子注入，进一步提高纳米片载流子浓度和导电率，从而得到了高导电率的氢化NbSe
2纳米片并可以进一步组装得到薄膜。本发明方法简单，产率高，结构保存完好，组装成二维薄膜便于转移，导电性高，循环稳定性良好。
声明：
“二维高导电率氢化NbSe2纳米薄膜、其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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