本发明公开一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C
负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行预处理，然后与镁粉进行球磨混合、还原反应，再经酸洗、离心干燥，即得多孔晶体Si颗粒；将所制备的多孔晶体Si在配置好的PH为8.5的Tris缓冲溶液中与多巴胺均匀混合，使聚多巴胺沉积在Si颗粒的表面，对Si进行包覆，制备出Si@C核壳结构的复合体材料。该复合体材料拥有优异的
电化学性能，具有较高的比容量、长循环寿命及高的容量保持率，稳定的循环寿命；碳层与其包裹的Si粒子的孔道结构，也为
锂离子的脱、嵌缩短了扩散距离与时间；包覆的碳层增强了Si的导电性；Si@C核壳结构也避免了
电解液与Si直接接触，形成不稳定的SEI膜。
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“以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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