本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术,具体为一种硅化物纳米带或纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代
硅烷与氢气在金属基体表面于500～1500℃下发生分解反应,从而在金属基体表面原位生长出硅化物纳米带或纳米片。本发明通过控制氯代硅烷与氢气的流量比就可以容易地实现纳米带或纳米片的选择制备,所制备硅化物纳米带的典型尺寸如下:长度10～50ΜM,宽度0.5～5ΜM,厚度100～200NM。硅化物纳米片的典型尺寸为:长度和宽度都在5～50ΜM,厚度10～100NM。总之,利用本发明提供的方法可以实现多种硅化物纳米带和纳米片的控制制备,突破了目前硅化物只有纳米线存在的状态,可望应用于纳米器件和
锂离子电池
负极材料。
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来源：北方有色网
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