本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括:LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤:步骤一,生长低温保护层:在MOCVD系统中,以LiAlO2(100)面做衬底,在N2保护下,升温到800-950℃;切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN,反应室压力为150-500torr,TMGa流量为1-50sccm;步骤二,生长U-AlGaN层:降低反应室压力至100-300torr,升温到1000-1100℃,生长U-AlGaN层,TMGa流量为10-150sccm,TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2;步骤三,生长高温U-GaN层:停止通入TMAl,继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面
铝酸
锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌,有利于提高器件的工作效率。
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来源：北方有色网
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