本发明涉及一种多用途硅微纳米结构制备技术,属于
新材料制备技术领域。本发明将金属催化硅腐蚀技术与光刻技术相结合,研制出了一种大面积高度有序硅微纳米结构阵列的制备方法。即利用电子束或紫外光等曝光技术将光刻掩模板上的微结构图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的清洁硅片表面,进而获得腐蚀时所需要的、有抗蚀剂保护的图形。利用高真空热蒸发等技术在处理后的硅片表面沉积金属银膜,并将硅片表面的抗蚀剂及覆盖在其上面的银膜去除后,将硅片浸入含有氧化剂的氢氟酸腐蚀溶液的密闭容器中处理10-100分钟,便得到大面积有序硅微纳米结构阵列。这种大面积有序硅微纳米结构在
太阳能电池、
锂电池
负极材料、气敏元件以及活性表面增强拉曼光谱术衬底等领域具有广泛的应用前景。
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“多用途硅微纳米结构制备技术” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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