本发明公开了一种C包覆SiO‑SnSiO
4‑Si超粒子材料及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：(1)将SiO、SnO
2、纳米硅放入球磨机中，加入分散剂后进行球磨处理，得到的混合物经过喷雾干燥后，得到SiO‑SnO
2‑Si混合物；(2)将SiO‑SnO
2‑Si混合物放入管式炉中，在惰性气氛中进行高温煅烧得到SiO‑SnSiO
4‑Si超粒子；(3)往管式炉中通入氮气乙炔混合气氛，进行C包覆处理，得到C包覆SiO‑SnSiO
4‑Si超粒子材料。本发明通过SnO
2和SiO
2原位合成SnSiO
4减少有害相SiO
2的生成量，有助于提高电池的首次库仑效率，SnSiO
4作为
电化学惰性相，可缓解Si和SiO在脱嵌
锂过程中的体积膨胀问题，同时碳包覆能有效提高其导电性并稳定电极材料在循环过程中结构变化，在高比能电池领域具有广阔的应用前景。
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“C包覆SiO-SnSiO4-Si超粒子材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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