本发明属于能源材料领域。本发明分别以氯化
铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化
锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和pH缓冲剂配制电沉积液,并调节pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于250-500℃下恒温30-180min,得到CuInS2纳米晶半导体薄膜。本发明所提供的方法可控性强,重复好,所制备的CuInS2纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜
太阳能电池光吸收层材料。
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“CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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