本发明提供一种垂直MXene阵列极片的制备方法，属于电池技术领域。该制备方法，包括如下步骤：MXene纳米片的制备和垂直MXene阵列极片的制备；将MXene纳米片粉末进行分散，配成分散液，得到MXene分散液；裁取
铜箔置于冷冻板上；将MXene分散液置于铜箔上并进行涂布，涂布厚度为50微米‑500微米；待涂布完成后，进行冻干，冻干结束后得到垂直MXene阵列极片。本发明提供的制备方法利用冰模板法将MXene纳米片设计成垂直三维结构，能够有效的利用所有MXene，并且在和Li反应过程中会在垂直MXene表面形成均匀垂直的SEI层，有效减少金属
锂和
电解液的副反应，作为锂金属负极具有好的性能。
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“垂直MXene阵列极片的制备方法、垂直MXene阵列极片及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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