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硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用

1001   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 23:28:23
本发明公开了一种硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用,所述材料以SiO为基底,在其上修饰一层硅烷化合物,制备方法为:一、将硅烷化合物水解,使与硅原子相连的偶联剂的化学键发生水解,生成低聚合度的硅氧烷,同时将SiO粉末于水-乙醇混合液中进行超声处理;二、水解后的硅烷化合物与SiO混合,在惰性气体氛围下回流升温反应;三、将所述混合溶液进行离心、真空干燥。上述具有硅烷化物修饰层的SiO负极材料可与石墨混合用作离子电池负极材料。本发明通过在材料表面修饰一层有机硅化合物,解决由于硅材料在充放电过程中粉化导致的容量衰减快的问题。所采取的工艺路线方便、简单可,易于操作,而且所需材料成本较低,利于工厂大规模生产。
声明:
“硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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